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【應用】微機電結構中的多層金屬與隔離

2025-10-09

 
 


 

引言

隨著微機電系統(MEMS)技術的迅速發展,對於微小結構中金屬層及介電層的精確控制變得愈加重要。MEMS 裝置的性能往往依賴於其內部多層結構的厚度,特別是在聲表面波(SAW)裝置和微感測器等應用中,金屬層和介電層的交疊關係對性能影響深遠。

 

微小結構的挑戰

在 MEMS 裝置中,微小結構的設計通常包括多層金屬(如 Cu、Au、Ti、Al)和介電層。這些層的厚度必須精確控制,以確保裝置的功能和性能。例如,聲表面波(SAW)裝置需要高度精確的金屬層厚度,以達到最佳的信號傳輸和接收效率。而微感測器則依賴於金屬層的導電性和介電層的絕緣性,這使得厚度控制成為關鍵。

 

無損量測的重要性

在 MEMS 裝置的製造過程中,傳統的厚度測量方法通常涉及物理接觸,可能會對微小結構造成損傷或改變其性能。Bowman XRF(X-ray Fluorescence)技術提供了一種無損的解決方案,能夠準確測量分層金屬的厚度。這種技術不僅能夠提供即時的厚度數據,還能夠在不影響樣品的情況下進行多層結構的分析。

多層金屬厚度的量測

Bowman XRF 技術能夠有效地測量多層金屬的厚度,例如 Cu、Au、Ti 和 Al。以下是這些金屬層的常見厚度範圍:

  • 銅(Cu)鍍層:通常在 1 µm 到 10 µm 之間。
  • 金(Au)鍍層:一般在 0.1 µm 到 5 µm。
  • 鎳(Ni)鍍層:通常在 1 µm 到 10 µm。
  • 鋁(Al)鍍層:一般在 1 µm 到 20 µm。
  • 鈦(Ti)鍍層:通常在 0.5 µm 到 5 µm。

通過分析 X 射線的荧光信號,該技術可以確定每一層的厚度,並提供準確的材料成分信息。這對於優化 MEMS 裝置的性能至關重要,因為每一層的厚度都會直接影響到裝置的電學特性和機械性能。

 

結論

Bowman XRF 技術在 MEMS / 微機電結構的多層金屬與隔離層厚度管控中扮演著重要角色。其無損的量測方式不僅提高了測量的安全性,還能夠提供高精度的數據,幫助工程師們優化微小結構的設計和性能。隨著 MEMS 技術的進一步發展,Bowman XRF 將繼續在材料分析和厚度控制方面發揮關鍵作用。

 

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